窒化アルミニウム・セラミック・ディスク
窒化アルミニウムセラミックディスクは、熱伝導率が高く、誘電率と誘電損失が低く、機械的特性に優れています。半導体装置、電気自動車、充電杭、IGBTモジュール、蓄電池、LED、レーザー装置、ラジエーター、ハイパワーデバイスなどの分野で広く使用されています。
ALNディスク製造会社
Great Ceramicは、金型でダイキャスト(またはアイソスタティックプレス)された窒化アルミニウム(ALN)セラミックディスクを提供しています。電気絶縁性がよく、瞬間的な大電流衝撃に耐え、機械的強度が高く、無毒無害などです。ディスクのサイズは顧客のニーズに応じてカスタマイズでき、最大直径は450mm、最大厚さは20mmです。
AlNセラミックディスクの特性
セラミックディスクの基本特性
アイテム | 単位 | AlNディスク |
カラー | – | グレー/ベージュ |
体積密度 | g/cm³ | 3.25 |
表面粗さ | ウム | <0.8 |
キャンバー | 長さ | ≤2.5 |
ディスクの機械的特性
アイテム | 単位 | AlNディスク |
曲げ強度 | MPa | ≥350 |
破壊靭性 | MPa-m1/2 | 3.0 |
ビッカース硬度 | GPa | 11 |
ディスクの熱特性
アイテム | 単位 | AlNディスク |
熱伝導率 | W/m・k(25℃) | ≥170 |
熱膨張係数 | ×10-6/k (20℃~800℃) | 4~6 |
耐熱衝撃性 | ≥10(800℃) | 亀裂なし |
熱容量 | J/(kg-k) | 720 |
ディスクの電気的特性
アイテム | 単位 | AlNディスク |
体積抵抗 | Ω・cm(20℃) | 1.5×1013 |
誘電率 | 1MHz | 10.6 |
誘電損失 | 1MHz | 4.6×10-4 |
絶縁耐力 | KV/mm | ≥20 |
注:バッチごとに異なる場合があります。
注:パソコンでご覧ください。
窒化アルミニウムディスクの利点
走査型電子顕微鏡の写真から、窒化アルミニウムディスクの粒径は均一で、粒径が大きくなる明らかな現象は見られない。温度差を発生させることなく、均一な熱分布を実現できる。
セラミック・ディスクの寸法
Great Ceramicは、お客様のニーズを満たすために、様々な標準化されたサイズの窒化アルミニウム(AlN)セラミックディスクを提供しています。さらに、ディスクのカスタマイズサービスも提供しており、お客様のニーズに応じてサイズをカスタマイズすることも可能です。