一般的な3種類のセラミック基板の比較

セラミック基板は、その優れた機械的、熱的、電気的特性により、様々な高性能用途に広く使用されています。中でも、窒化アルミニウム(AlN)、96%アルミナ(Al₂O₃)、窒化ケイ素(Si₃N₄)セラミック基板は、電子機器、航空宇宙、パワーデバイスで最も一般的に使用されている材料です。この記事では、エンジニアや設計者がニーズに合ったセラミック基板を選択できるよう、その性能、特性、用途を包括的に比較しています。

セラミック基板・セラミックシート

機械的特性の比較

セラミック基板は様々な環境下での機械的ストレスに耐えなければならないため、曲げ強度、硬度、破壊靭性が重要な要素となります。

プロパティ 窒化アルミニウム(AlN) 96% アルミナ(Al₂O₃) 窒化ケイ素 (Si₃N₄)
曲げ強さ (MPa) 350 350 800
硬度(HV) 1150 1600 (最難関) 1500
破壊靭性 (MPa-m¹/²) 4.0 3.2 7.0 (耐衝撃性に優れる)
  • 機械的強度に最適: 窒化ケイ素セラミック基板は、その優れた破壊靭性と曲げ強度により、高ストレス環境に最適です。

熱特性の比較

熱伝導率と熱膨張率は、電子アプリケーションにおける放熱と熱安定性にとって極めて重要である。

プロパティ 窒化アルミニウム(AlN) 96% アルミナ(Al₂O₃) 窒化ケイ素 (Si₃N₄)
熱伝導率 (W/m-K) 170 (素晴らしい) 22 25
熱膨張率 (×10-⁶/K) 5.0 7.0 3.0 最低
最高使用温度 (℃) 1000 1500最高 1200
  • 放熱に最適: 窒化アルミニウムセラミック基板は熱伝導率が最も高く、パワーエレクトロニクスやLED用途に最適です。

電気特性の比較

電気絶縁性と誘電特性は、回路基板や半導体部品の性能に影響を与える。

プロパティ 窒化アルミニウム(AlN) 96% アルミナ(Al₂O₃) 窒化ケイ素 (Si₃N₄)
誘電率 8.8 9.5 8.2
誘電損失 (×10-³) 2.0 3.0 1.5 最低
体積抵抗率 (Ω-cm) 10¹³ 10¹⁴ (ベスト・インシュレーション) 10¹²
  • 電気絶縁に最適: 96%アルミナセラミック基板は、体積抵抗率が最も高く、高電圧アプリケーションに最適です。

主な性能比較

以下は、3つのセラミック基板の主な特性の比較表で、各性能の違いをすぐに確認することができます。

セラミック素材の比較

セラミック基板の用途

各セラミック基板は、その特性に基づいて、さまざまな産業で優れています:

窒化アルミニウム(AlN)セラミック基板

  • 最適ハイパワーエレクトロニクス、LED、熱管理システム

  • 用途パワーモジュール、半導体パッケージ、マイクロ波回路

  • 高い熱伝導性と優れた電気絶縁性

96%アルミナ(Al₂O₃)セラミック基板

  • 最適です:汎用電子回路および絶縁材料

  • 用途PCB基板、センサー部品、絶縁体

  • なぜか?優れた電気絶縁性、高い耐薬品性

窒化ケイ素(Si₃N₄)セラミック基板

  • 最適機械的強度を必要とする過酷な環境

  • 用途航空宇宙、自動車エンジン部品、高温電子機器

  • なぜか?優れた破壊靭性、高い耐熱衝撃性

セラミック基板の主な用途の比較

応用分野 窒化アルミニウム(AlN) 96% アルミナ(Al₂O₃) 窒化ケイ素 (Si₃N₄)
パワーエレクトロニックモジュール 熱伝導率が高いので優れている。 熱伝導率が悪い ⭐⭐⭐(衝撃に強く、より良い)
LEDパッケージ基板 高い熱伝導率 熱伝導率が悪い 耐衝撃性に優れる
RF/マイクロ波基板 ⭐⭐⭐ (低誘電損失) 一般応募 高信頼性
ICパッケージ基板 シリコンの熱膨張率 熱膨張のミスマッチ 高信頼性
航空宇宙 高性能アプリケーション 一般的な耐熱性 耐衝撃性、耐高温性
カーエレクトロニクス ⭐⭐⭐ (高放熱、一部の用途) ⭐⭐⭐(低価格、一般的) 耐衝撃性、耐高温性
工業用加熱基板 (耐高温) ⭐⭐⭐(耐高温) (高耐熱、低コスト) ⭐⭐⭐(極めて高い耐熱性)

結論どのセラミック基板を選ぶべきか?

  • 放熱&ハイパワーエレクトロニクス用 → 窒化アルミニウムセラミック基板

  • 高電気絶縁性・一般用 → 96%アルミナセラミック基板

  • 極度の機械的ストレスと過酷な環境 → 窒化ケイ素セラミック基板

AlN、Al₂O₃、Si₃N₄セラミック基板間の性能の違いを理解することで、エンジニアとメーカーは性能と寿命を向上させるために材料選択を最適化することができます。

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