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先端材料セラミックス


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窒化アルミニウム・セラミック・ディスク

AlNセラミックディスク

  • 形およびサイズは条件に従ってカスタマイズすることができる
  • 熱伝導率は150W/m・K以上で、Al2O3の5倍以上である。
  • 熱膨張係数(4.5 × 10-6 ℃)はシリコン(3.5~4 × 10-6 ℃)と一致する。
  • 各種電気特性(誘電率、誘電損失、体積抵抗率、絶縁耐力)が優れている。
  • 良好な機械的特性を有し、常圧下での焼結が可能である。
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高熱伝導性窒化アルミニウムセラミック基板

AlNセラミック基板

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  • 熱伝導率は150W/m・K以上で、Al2O3の5倍以上である。
  • 熱膨張係数(4.5 × 10-6 ℃)はシリコン(3.5~4 × 10-6 ℃)と一致する。
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  • 良好な機械的特性を有し、常圧下での焼結が可能である。
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