アドバンスト・セラミックスの絶縁耐力

絶縁耐力は絶縁破壊電圧とも呼ばれ、材料が導電性になるまでに維持できる最大電界のことです。kV/mm(またはMV/m)の単位で測定され、電子、高電圧、および熱の用途における絶縁体の信頼性を確保するために極めて重要です。この記事では、プラスチックや絶縁グレードの材料と並んで、主要なセラミック材料の誘電性能を調査し、視覚的に比較し、それがなぜ重要なのかを掘り下げています。

セラミックスの硬度:特性、比較と応用

絶縁耐力とは?

絶縁耐力は、材料が電気絶縁破壊を起こすことなく耐えられる最大電界を示す。固体では、十分なエネルギーが構造をイオン化し、電流が流れるようになると絶縁破壊が起こります。高い絶縁耐力は、電気アークを防ぎ、デバイスの安全性と長寿命を確保するために不可欠です。

セラミックスは、プラスチックやガラスよりも優れていることが多く、プラスチック(1~3kV/mm)に比べ、10~40kV/mmの絶縁耐力を提供します。

安全上のご注意:セラミックは電界をよりよく扱うが、熱的・機械的適合性を考慮して選択しなければならない。

なぜコア指標なのか?

  • 絶縁の安全性を確保

    高電圧、高周波、真空環境では、絶縁破壊やアーク放電を引き起こす可能性があります。

  • 製品寿命の延長

    高誘電率セラミックは、部品サイズを大きくすることなく、より大きな電圧負荷に対応します。

  • システムの信頼性を高める

    些細な誘電体不良がシステムクラッシュや安全上の問題を引き起こす可能性がある航空宇宙や医療システムでは特に重要です。

重要な洞察

  • セラミックス対プラスチックと液体:

    高純度セラミックス(Al₂O₃、AlN、h-BN、BeO)は、15~40kV/mmの範囲の絶縁耐力を示し、プラスチックと同等かそれ以上であり、変圧器オイルや空気のような液体をはるかに上回る。

  • 素材の違い:

    • h-BNは〜40kV/mmの絶縁破壊強度を持つセラミックスをリードしている。
    • AlNとAl₂O₃は絶縁基板として一般的に使用されている。
    • SiCは硬い反面、絶縁耐力が著しく低く、高電圧絶縁には不向きである。
  • 異方性の問題

    • h-BNは配向に依存した絶縁破壊を示す:c軸に平行に最大12 MV/cm

セラミック材料の絶縁耐力

セラミック素材 絶縁耐力 (kV/mm) 特徴
酸化ベリリウム (BeO) ~27 kV/mm 優れた熱伝導性と高い絶縁耐力を持ち、ハイパワーエレクトロニクスに使用される。
窒化アルミニウム(AlN) ~20 kV/mm 熱伝導率が高く、電気絶縁性に優れ、マイクロエレクトロニクスに最適。
ZTA 20% 80 – 120 破壊靭性が向上し、適度な誘電特性を持つジルコニア強化アルミナ。
窒化ケイ素 (Si3N4) ~15 kV/mm 高い機械的強度と耐熱衝撃性を持ち、厳しい環境下で使用される。
窒化ホウ素(BN) 40 kV/mm 熱安定性と電気絶縁性に優れ、RFや真空用途によく使用される。
機械加工可能なガラスセラミック(MGC) ~15 kV/mm 電気絶縁性を維持したまま容易に機械加工が可能で、試作品やカスタム形状に適している。
炭化ケイ素(SiC) 2-10 kV/mm 硬度と熱伝導率は高いが、絶縁耐力は低い。
アルミナ (Al2O3, 96-99.7%) 17 kV/mm 機械的、熱的、電気的特性のバランスがとれた、広く使用されている技術用セラミック。
ジルコニア(ZrO2) ~9 kV/mm 高い強度と破壊靭性。絶縁耐力は低いが、靭性が重要な場合に使用される。

*データは参考値です。

*通常、誘電特性は温度の上昇とともに著しく劣化します。

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絶縁耐力の比較

以下は、アドバンスト・セラミックスの絶縁耐力をプラスチックや一般的な絶縁体と比較した棒グラフです。

セラミック
プラスチック
断熱液/空気

*データは参考値です。

セラミックの絶縁耐力に基づく用途

  • 材質アルミナ(Al₂O₃)、絶縁耐力:10~15kV/mm
  • 用途高圧真空遮断器、変電所碍子、絶縁リング
  • ケーススタディ500kV UHV送電プロジェクトにおいて、99.5%純アルミナ絶縁体は-40℃から250℃の間で絶縁破壊することなく確実に動作しました。
  • 利点高い絶縁耐力、熱安定性、優れた耐老化性
  • 材質窒化アルミニウム(AlN)、絶縁耐力:12~15kV/mm、熱伝導率:170~200W/m・K
  • アプリケーションRFモジュール、パワー半導体パッケージ、5G通信機器
  • ケーススタディ5G基地局の電力増幅器において、アルミナの代わりにAlN基板を採用することで、放熱性と誘電信頼性を大幅に向上させ、最大120Wの安定したRF出力をサポート。
  • 利点高い絶縁耐力、高周波での低い誘電率、高い熱伝導性
  • 材質安定化ジルコニア(ZrO₂)、絶縁耐力:8~12kV/mm
  • 用途CTスキャナーのX線管ハウジング、検出器隔離構造
  • ケーススタディあるハイエンドCTシステムは、X線管にジルコニアセラミックハウジングを使用することで、金属ハウジングによるアーク放電の問題を解消し、画像の安定性と耐用年数を向上させました。
  • 利点優れた電気絶縁性、高い機械的強度、精密加工性
  • 材質窒化ケイ素(Si₃N₄)または炭化ケイ素(SiC);絶縁耐力:それぞれ~15 kV/mm、20~30 kV/mm
  • アプリケーション航空宇宙通信システムにおけるマイクロ波導波管絶縁
  • ケーススタディ地上局のマイクロ波導波管に絶縁構造としてホットプレスSiCセラミックスが組み込まれ、電界破壊による信号損失を防止。
  • 利点高い絶縁耐力、耐熱衝撃性、耐プラズマ腐食性
  • 材質機械加工可能なガラスセラミック(MGC)
  • 用途静電キャパシタハウジング、静電容量式センサベース
  • ケーススタディ航空宇宙用電気システムにおいて、絶縁ハウジングにMGCを使用した小型コンデンサは、-200℃から800℃まで動作しながら高電圧に耐えました。
  • 利点極めて高い絶縁耐力、加工が容易、超低熱膨張

関連高誘電率セラミックス

よくある質問(FAQ)

窒化ホウ素(h-BN) 最大40kV/mmを達成し、高性能プラスチックや絶縁液に匹敵、あるいはそれを上回る。

絶縁破壊やショートを防ぐ。強度が高い=必要な絶縁厚さが小さくなり、スペースとコストを節約できる。

SiCは高電界で半導体になるため、機械的強度はあるものの純粋な絶縁用途には適さない。

厚さ、不純物、温度、湿度、電極形状は、実際の絶縁破壊値に影響を与える。